一、單位簡介

廣東省半導體産業技術研究院是廣東省科學院下屬的18個骨幹研究院所之一。省半導體院是廣東省在半導體技術領域的主體科研機構，已建立有材料外延、微納制造、封裝應用、以及分析測試四大科研平台，購置了MOCVD等120多台/套關鍵設備，設備總價值上億元，是國內少數覆蓋了整個産業鏈的高水平研發平台，技術條件國際先進。擁有一支高水平的人才隊伍，包括廣東省創新團隊、廣東省特支計劃、廣州市珠江新星等人才，成員來自美國、日本、歐洲以及國內的頂尖科研機構或知名公司。

廣東省半導體産業技術研究院擁有廣東省第三代半導體工程中心以及其他優質行業資源，是中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會挂靠單位，16位院士出任該專業委員會顧問，委員覆蓋國內行業優勢高校科研機構和企業，具有代表性。此外，我院與國內外相關領域的先進研發機構建立穩定持續的實質合作關系，合作地域涵蓋美國、日本、英國、香港等國家和地區。

二、專業方向以及研究領域

凝聚態物理、微電子學、電子與電路設計、半導體物理與器件、光電子學、材料學等和半導體相關專業背景。

主要研究領域：MOCVD半導體外延生長，半導體芯片工藝，半導體器件封裝與集成，VCSEL，半導體激光器，電子電路設計及新型顯示技術等（TFT及CMOS驅動顯示IC設計），氮化物半導體材料與器件外延技術，新型寬禁帶半導體材料及器件開發，半導體器件設計與制備，半導體材料器件表征分析，光學設計，圖像處理算法。

三、高層次人才待遇

注：稅前年薪、同時享受成果及績效獎勵，上不封頂。   單位：元

四、高层次人才引進条件

（一）傑出科學家

作爲學科建設的領軍人才，能夠帶領本學科在其領域趕超或者保持國際先進水平。包括諾貝爾獎獲得者、兩院院士、外籍及境外院士，或具有上述相當成就的國內外知名教授（原則上年齡不超過63周歲，特殊情況可適當放寬）。

（二）院“百人計劃”人才

（1）“百人計劃”A類人才

海內外著名大學的教授，海內外著名研究機構資深研究員，能帶領本學科在其領域趕超或者保持全國領先水平的領軍人才，原則上年齡不超過50周歲（以當年12月31日爲計算截止日，特別優秀者可適當放寬），相當于下列水平人才：

1.長江學者特聘教授；

2.國家傑出青年基金獲得者；

3.國家重大重點研發計劃項目的負責人；

4.“国家特支计划”科技创新领军人才、科技创业领军人才百千萬工程领军人才；

5.國家自然科學基金創新研究群體負責人；

6.國家科技獎勵第一完成人；

7.中科院“百人計劃”入选者；

8.廣東省“特支計劃”傑出人才（南粵百傑）、廣東省“珠江人才計劃”引進創新團隊帶頭人、廣東省“珠江人才計劃”引進領軍人才；

9.家重點實驗室或工程中心主任。

（2）“百人計劃”B類人才

海外知名高校、科研院所副教授（或相當職務）以上，或國內一流高校、科研院所正高級職務的人才。原則上年齡不超過42周歲（以當年12月31日爲計算截止日，特別優秀者可適當放寬），相當于下列水平人才：

1.“珠江學者”特聘教授或同級別省級人才工程項目入選者；

2.“百千萬人才工程”國家級人選；

3.“國家特支計劃”青年拔尖人才、教育部“青年長江學者”、國家自然科學基金優秀青年基金獲得者；

4.國家重大科技專項重大課題負責人、國家自然科學基金重點項目負責人。

（3）“百人計劃”C類人才

海外知名高校、科研院所、企业拥有正式科研职位的杰出人才或優秀博士、博士後，或国内一流高校、科研院所副高级以上职务的优秀人才。原则上年龄不超过35周歲（以當年12月31日爲計算截止日，特別優秀者可適當放寬），且近五年科研成果符合下列條件的一項：

1.在《Science》、《Nature》、《CELL》或SCI（影響因子20以上）的國際頂尖期刊上發表論文1篇，或者在影響因子大于10的刊物上發表論文2篇，本人排名第一或爲通訊作者；

2.自然科学類，作为第一作者或通讯作者在中国科学院JCR1區或者在本學科權威期刊上發表6篇及以上學術論文；

3.所發表的第一作者或通訊作者學術論文經SCI檢索，單篇近五年被其他人引用50次以上；

4.相当于广东省杰出青年基金获得者、广东省青年珠江學者获得者或同级别省级人才工程项目入选者的人才；

5.其他學術地位、水平與此相對的人才。

（三）優秀博士、博士後

国内外高校毕业的優秀博士、博士後，进入研究院工作或进入广东省科学院博士後工作站的博士后。

五、聯系方式

單位網址：http://www.gisit.gdas.gd.cn/

 聯系地址：廣州市天河區長興路363號

  聯系人：蘇老師

  电  话：020-61086420 18818806556

  邮  箱：ysyled@163.com